ସାମସଙ୍ଗ ଏହି ଚିପ୍କୁ ‘Gate-All-Around’ (GAA) ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହାର କରି ପ୍ରସ୍ତୁତ କରିଛି। ଏହା ଆସନ୍ତା ବର୍ଷ ଆସିବାକୁ ଥିବା Samsung Galaxy S26 ସିରିଜ୍ ସ୍ମାର୍ଟଫୋନରେ ଦେଖିବାକୁ ମିଳିବାର ସମ୍ଭାବନା ଅଛି।
ଏହି ଚିପ୍ର ମୁଖ୍ୟ ବିଶେଷତ୍ୱ:
- ୨ ନାନୋମିଟର (2nm) GAA: ଏହା ପୂର୍ବ ବର୍ଷର ୩ ନାନୋମିଟର ଚିପ୍ ତୁଳନାରେ ଅଧିକ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଏବଂ ଏହା କମ୍ ବ୍ୟାଟେରୀ ବ୍ୟବହାର କରି ଅଧିକ କାମ କରିବ (Energy Efficient)।
- AI ବୁଷ୍ଟ (AI Performance): ଏଥିରେ ଥିବା ନୂଆ NPU (Neural Processing Unit) ଯୋଗୁଁ ଆର୍ଟିଫିସିଆଲ୍ ଇଣ୍ଟେଲିଜେନ୍ସ (AI) କ୍ଷମତାରେ ପ୍ରାୟ ୧୧୩% ବୃଦ୍ଧି ଘଟିଛି। ଏହା ଦ୍ୱାରା ଫୋନ୍ ଭିତରେ ହିଁ ଜେନେରେଟିଭ୍ AI କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ ଅତି ଦ୍ରୁତ ଗତିରେ ହୋଇପାରିବ।
- ଗେମିଂ ଏବଂ ଗ୍ରାଫିକ୍ସ: ଏଥିରେ Xclipse 960 GPU ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇଛି, ଯାହା ଗେମିଂ ସମୟରେ ୫୦% ଅଧିକ ରେ-ଟ୍ରେସିଂ (Ray Tracing) ପରଫୋର୍ମାନ୍ସ ପ୍ରଦାନ କରିବ।
- ହିଟିଂ ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ: ସାମସଙ୍ଗ ଏଥିରେ ନୂତନ ‘Heat Path Block’ (HPB) ଟେକ୍ନୋଲୋଜି ବ୍ୟବହାର କରିଛି, ଯାହା ଫୋନକୁ ଗରମ ହେବାରୁ ରକ୍ଷା କରିବ ଏବଂ ଏହାର ତାପମାତ୍ରାକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରଣରେ ରଖିବ।
ପୂର୍ବ ମଡେଲ୍ (Exynos 2500) ତୁଳନାରେ ପରିବର୍ତ୍ତନ:
| ବିଷୟ | ଉନ୍ନତି |
|---|---|
| CPU ପରଫୋର୍ମାନ୍ସ | ପ୍ରାୟ ୩୯% ବୃଦ୍ଧି |
| AI ପ୍ରସେସିଂ | ପ୍ରାୟ ୧୧୩% ବୃଦ୍ଧି |
| ଗ୍ରାଫିକ୍ସ (GPU) | ପ୍ରାୟ ୫୦% ଉନ୍ନତି |
| ଟେକ୍ନୋଲୋଜି | ୩ ନାନୋମିଟର ରୁ ୨ ନାନୋମିଟର କୁ ପରିବର୍ତ୍ତନ |
